Vierfach-MOSFET-Lösung von Fairchild Semiconductor ermöglicht besseren Wirkungsgrad bei aktiven Brückenschaltungen und benötigt keine Wärmesenke
Vier 60 V MOSFETs in einem gemeinsamen Gehäuse als Ersatz von Dioden-Brückenschaltungen verbessern die Systemeffizienz und ermöglichen ein kompaktes Design bei kleinerer Leiterplattenfläche Fürstenfeldbruck – 29. April 2013 – Die starke Wärmeentwicklung in leistungsfähigen, kompakten
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