Siliciumcarbid (SiC) Lösungen von Fairchild Semiconductor bieten höchsten Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit für Energieumwandlungssysteme

Erster SiC bipolarer Sperrschichttransistor (BJTs) im Produktportfolio ermöglicht geringste Leistungsverluste bei hohen Betriebstemperaturen Druckfähiges Bild auf Anfrage erhältlich. Fürstenfeldbruck – 13. November 2012 – Um eine höhere Leistungsdichte zu erreichen und die strikten Wirkungsgradregelungen und

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