IGBT Archive -

1200 V Field Stop Trench IGBTs von Fairchild Semiconductor bieten höhere Schaltgeschwindigkeit und bessere Zuverlässigkeit

10. Dezember 2013 pr-gateway Allgemein

Die neuen Hochspannungs-IGBTs reduzieren die gesamte Verlustleistung, minimieren die Leiterplattengröße und verringern somit die Systemkosten bei leistungsfähigen Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und Schweißanlagen München – 10. Dezember 2013 – Fairchild Semiconductor, ein weltweit führender Anbieter von

Vishays Bauteile verringern Verluste in Frequenzumrichtern

15. Oktober 2013 pr-gateway Allgemein

Halbleiter der nächsten Generation sichern die effiziente Energieumwandlung Selb / Malvern (USA), 15. Oktober 2013 – Im Zuge des Kyoto-Protokolls und zur Umsetzung ins Leben gerufener Direktiven wie der ErP-Richtlinie rückt die effiziente Energieumwandlung zusehends

Fujitsu to Start Production of GaN Power Devices for High-Efficiency Power Supply Units in 2013

22. November 2012 pr-gateway Allgemein

GaN technology achieves high output power of 2.5kW in power supply units for servers Fujitsu Semiconductor will start production of GaN power devices for high-efficiency power supply units for servers, which achieve high output power

Schlagwort: IGBT

1200 V Field Stop Trench IGBTs von Fairchild Semiconductor bieten höhere Schaltgeschwindigkeit und bessere Zuverlässigkeit

Vishays Bauteile verringern Verluste in Frequenzumrichtern

Fujitsu to Start Production of GaN Power Devices for High-Efficiency Power Supply Units in 2013

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